Analysis and modeling of internal state variables for dynamic effects of nonvolatile memory devices
Hybrid integration of CMOS and nonvolatile memory (NVM) devices has become the foundation for emerging nonvolatile memory-based computing. The primary challenge to validate hybrid memory system with both CMOS and NVM devices is to develop a SPICE-like simulator that can simulate the dynamic behavior...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Shang, Yang, Fei, Wei, Yu, Hao |
---|---|
مؤلفون آخرون: | School of Electrical and Electronic Engineering |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
2012
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/95525 http://hdl.handle.net/10220/8762 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Fast simulation of hybrid CMOS and STT-MTJ circuits with identified internal state variables
بواسطة: Shang, Yang, وآخرون
منشور في: (2013) -
An ultralow-power memory-based big-data computing platform by nonvolatile domain-wall nanowire devices
بواسطة: Wang, Yuhao, وآخرون
منشور في: (2013) -
Design and scalability of a memory array utilizing anchor-free nanoelectromechanical nonvolatile memory device
بواسطة: Vaddi, Ramesh, وآخرون
منشور في: (2013) -
Integration of fluorographene trapping medium in MoS₂-based nonvolatile memory device
بواسطة: Chang, Kai Ping, وآخرون
منشور في: (2021) -
The shuttle nanoelectromechanical nonvolatile memory
بواسطة: Pott, Vincent, وآخرون
منشور في: (2013)