Electronic structures and transport properties of n-type-doped indium oxides
10.1021/jp5104164
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Chen Zhangxian, Huang Liang, Zhang Qingfan, Xi Yongjie, Li Ran, Li Wanchao, Xu Guoqin, Cheng Hansong |
---|---|
مؤلفون آخرون: | CHEMISTRY |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
American Chemical Society
2016
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/127554 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Transparent indium zinc oxide ohmic contact to phosphor-doped n -type zinc oxide
بواسطة: Hu, G., وآخرون
منشور في: (2014) -
Resistive switching in p-type nickel oxide/n-type indium gallium zinc oxide thin film heterojunction structure
بواسطة: Li, Huakai, وآخرون
منشور في: (2018) -
Magnetic and magnetotransport properties in copper and iron co-doped bulk indium oxide and indium tin oxide.
بواسطة: Ho, Hui Wen.
منشور في: (2009) -
Significant improvement in electronic properties of transparent amorphous indium zinc oxide through yttrium doping
بواسطة: Sun, J., وآخرون
منشور في: (2014) -
Surface electronic structure of nitric-oxide-treated indium tin oxide
بواسطة: Jianqiao, H., وآخرون
منشور في: (2014)