Lanthanoid based materials in advanced CMOS technology

Lanthanoid based materials in advanced CMOS technology

Ph.D

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي:	CHEN JINGDE
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	Theses and Dissertations
اللغة:	English
منشور في:	2010
الموضوعات:	Lanthanoid, CMOS, Schottky Barrier MOSFET, High-k, metal gate, MIM capacitor
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/18232
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة

Study on high mobility channel transistors for future sub-10 nm CMOS technology
بواسطة: GAO FEI
منشور في: (2010)

Schottky-barrier S/D MOSFETs with high-K gate dielectrics and metal-gate electrode
بواسطة: Zhu, S., وآخرون
منشور في: (2014)

Advanced gate stack for sub-0.1 (mu)m CMOS technology
بواسطة: YU HONGYU
منشور في: (2010)

Pt-germanide schottky source/drain germanium p-MOSFET with HfO2 gate dielectric and TaN gate electrode
بواسطة: Li, R., وآخرون
منشور في: (2014)

Germanium pMOSFETs With Schottky-barrier Germanide S/D, high-Κ gate dielectric and metal gate
بواسطة: Zhu, S., وآخرون
منشور في: (2014)

High-K dielectric MIM capacitors for Silicon RF and analog applications
بواسطة: HU HANG
منشور في: (2011)

Advanced gate stacks for nano-scale CMOS technology
بواسطة: WANG XINPENG
منشور في: (2010)

Advanced gate stack for CMOS nanotechnology
بواسطة: LIM EU-JIN ANDY
منشور في: (2010)

Hf-based high-K gate dielectric and metal gate stack for advanced CMOS devices
بواسطة: JOO MOON SIG
منشور في: (2010)

Metal gate with high-K dielectric in Si CMOS processing
بواسطة: PARK CHANG SEO
منشور في: (2010)

High-k Metal-Insulator-Metal (MIM) capacitors for RF/Mixed-Signal IC applications
بواسطة: KIM SUN JUNG
منشور في: (2010)

Metal-germanide Schottky Source/Drain transistor on Germanium substrate for future CMOS technology
بواسطة: Li, R., وآخرون
منشور في: (2014)

Advanced source and drain contact engineering for multiple- gate transistors
بواسطة: LEE TEK PO RINUS
منشور في: (2010)

Advanced contact engineering for silicon, germanium and germanium-tin devices
بواسطة: TONG YI
منشور في: (2014)

High mobility III-V compound semiconductors for advanced transistor applications
بواسطة: CHIN HOCK CHUN
منشور في: (2011)

Three-layer laminated metal gate electrodes with tunable work functions for CMOS applications
بواسطة: Bai, W.P., وآخرون
منشور في: (2014)

Some issues in advanced CMOS gate stack performance and reliability
بواسطة: Li, M.-F., وآخرون
منشور في: (2014)

Schottky source/drain transistor integrated with high-k and metal gate for sub-tenth nm technology
بواسطة: LI RUI
منشور في: (2010)

Very high-density (23 fF/μm2) RF MIM capacitors using high-κ TaTiO as the dielectric
بواسطة: Chiang, K.C., وآخرون
منشور في: (2014)

Semiconductor nanowires for future nanoscale application: Synthesis, characterization and nanoelectronic devices
بواسطة: YANG WEIFENG
منشور في: (2010)

Fabrication and characteristics of high-k MIM capacitors for high precision applications
بواسطة: YANG JIANJUN
منشور في: (2010)

Work function tunability of refractory metal nitrides by lanthanum or aluminum doping for advanced CMOS devices
بواسطة: Wang, X.P., وآخرون
منشور في: (2014)

MIM capacitors using atomic-layer-deposited high-κ (HfO2)1-x(Al2O3)x dielectrics
بواسطة: Hu, H., وآخرون
منشور في: (2014)

Work function and process integration issues of metal gate materials in CMOS technology
بواسطة: REN CHI
منشور في: (2011)

Interface Engineering in the High-k Dielectric Gate Stacks
بواسطة: Wang, S., وآخرون
منشور في: (2014)

Schottky Barrier Engineering for Contacts in Advanced CMOS Technology
بواسطة: PHYLLIS LIM SHI YA
منشور في: (2012)

Pt-germanide formed by laser annealing and its application for schottky source/drain metal-oxide-semiconductor field-effect transistor integrated with TaN/chemical vapor deposition HfO2/Ge gate stack
بواسطة: Li, R., وآخرون
منشور في: (2014)

An integratable dual metal gate CMOS process using an ultrathin aluminum nitride buffer layer
بواسطة: Park, C.S., وآخرون
منشور في: (2014)

Very high density RF MIM capacitors (17 fF/μm2) using high-κ Al2O3 doped Ta2O5 dielectrics
بواسطة: Yang, M.Y., وآخرون
منشور في: (2014)

High-density MIM capacitors using AlTaOx dielectrics
بواسطة: Yang, M.Y., وآخرون
منشور في: (2014)

Very high density RF MIM capacitor compatible with VLSI
بواسطة: Chiang, K.C., وآخرون
منشور في: (2014)

PVD HfO2 for high-precision MIM capacitor applications
بواسطة: Kim, S.J., وآخرون
منشور في: (2014)

Investigation of high-K gate dielectrics for advanced CMOS application
بواسطة: YU XIONG FEI
منشور في: (2011)

Substrate effects on resonant frequency of silicon-based RF on-chip MIM capacitor
بواسطة: Xiong, Y.-Z., وآخرون
منشور في: (2014)

Tensile-strained germanium CMOS integration on silicon
بواسطة: Zang, H., وآخرون
منشور في: (2014)

Advanced HfTaON/SiO2 gate stack with high mobility and low leakage current for low-standby-power application
بواسطة: Yu, X., وآخرون
منشور في: (2014)

A comparative study of HfTaON/SiO2 and HfON/SiO2 gate stacks with TaN metal gate for advanced CMOS applications
بواسطة: Yu, X., وآخرون
منشور في: (2014)

Metal carbides for band-edge work function metal gate CMOS devices
بواسطة: Hwang, W.S., وآخرون
منشور في: (2014)

Tuning effective metal gate work function by a novel gate dielectric HfLaO for nMOSFETs
بواسطة: Wang, X.P., وآخرون
منشور في: (2014)

Extending Si CMOS: InGaAs and GeSn High Mobility Channel Transistors for Future High Speed and Low Power Applications
بواسطة: GONG XIAO
منشور في: (2013)