Reliability improvement using buried capping layer in advanced interconnects

• المؤلفون الرئيسيون: Yiang, K.Y., Mok, T.S., Yoo, W.J., Krishnamoorthy, A.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: Conference or Workshop Item
• منشور في: 2014
• الموضوعات: Conduction mechanism; Dielectric breakdown; Interconnects; Low-k leakage current
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/71607

Annual Proceedings - Reliability Physics (Symposium)