Effect of surface conditions on the measurement of minority carrier diffusion lengths using the surface photovoltage technique
10.1117/12.405371
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Zhang, Z., Tan, L.S., Koh, S.M., Liu, H.M., Flottmann, D. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL ENGINEERING |
التنسيق: | Conference or Workshop Item |
منشور في: |
2014
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/72597 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | National University of Singapore |
مواد مشابهة
-
Determination of minority carrier diffusion lengths in the denuded zones of silicon wafers by surface photovoltage measurements
بواسطة: Tan, L.S., وآخرون
منشور في: (2014) -
Determination of minority carrier diffusion lengths in semiconductor wafers with non-uniform carrier lifetimes by the surface photovoltage technique
بواسطة: Tan, L.S., وآخرون
منشور في: (2014) -
Interlaboratory study of eddy-current measurement of excess-carrier recombination lifetime
بواسطة: Blum, A.L., وآخرون
منشور في: (2016) -
Inter-laboratory study of eddy-current measurement of excess-carrier recombination lifetime
بواسطة: Blum, A.L., وآخرون
منشور في: (2016) -
Stability and magnitude of photovoltage in ferroelectric (Pb 0.97La0.03)(Zr0.52Ti0.48)O 3 thin films in multi-cycle uv light illumination
بواسطة: Qin, M., وآخرون
منشور في: (2014)