Ge/Ni-InGaAs solid-state reaction for contact resistance reduction on n + In 0.53Ga 0.47As

• المؤلفون الرئيسيون: Guo, H.X., Kong, E.Y.J., Zhang, X., Yeo, Y.-C.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82403
• المؤسسة: National University of Singapore

10.1143/JJAP.51.02BF06