Fabrication and characterization of germanium-on-insulator through epitaxy, bonding, and layer transfer
A scalable method to fabricate germanium on insulator (GOI) substrate through epitaxy, bonding, and layer transfer is reported. The germanium (Ge) epitaxial film is grown directly on a silicon (Si) (001) donor wafer using a “three-step growth” approach in a reduced pressure chemical vapour depositio...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | مقال |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2015
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/107093 http://hdl.handle.net/10220/25327 http://dx.doi.org/10.1063/1.4895487 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|