Direct simulation Monte Carlo method of deposition processes
Modifications had been done on the basic DSMC2.fortran program developed by G. A. Bird to approximate the initial deposition profile characteristic of a physical vapor deposition process, whereby little or no surface chemical reaction occurs. In this report, initial deposition growth of PVD Aluminum...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Tan, Chee Hong. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | Zhao, Yong |
التنسيق: | Theses and Dissertations |
اللغة: | English |
منشور في: |
2008
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://hdl.handle.net/10356/13523 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Nanyang Technological University |
اللغة: | English |
مواد مشابهة
-
Mechanical and tribological study of DLC coatings deposited by filtered cathodic vacuum arc
بواسطة: Choo, Chee Wee.
منشور في: (2011) -
Simulation and characterization of the process and circuit of the MOSFET device with ISRC structure
بواسطة: Lee, Yong Kuen.
منشور في: (2008) -
Deposition of Ta-N thin films as diffusion barrier
بواسطة: Zhang, Qing
منشور في: (2008) -
Piezoresponse force microscopy characterization of PbZr0.52Ti0.48O3 thin films deposited by sol-gel and pulsed laser deposition
بواسطة: Tan, Jun Ming
منشور في: (2015) -
Atomic stacking configurations in atomic layer deposited TiN films
بواسطة: Park, H. S., وآخرون
منشور في: (2012)