Atomistic simulation of epitaxial Si film growth on Si (001) surface
The purpose of this thesis is to study the effect of conditions such as substrate orientation, process temperature, atomic beam energy, thermal dissipation rate and deposition rate on the energetic and microstructure of epitaxial growth of silicon on Si (001) surface.
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | Theses and Dissertations |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2008
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://hdl.handle.net/10356/5130 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| المؤسسة: | Nanyang Technological University |
| اللغة: | English |