Effect of surface pretreatment on interfacial chemical bonding states of atomic layer deposited ZrO2 on AlGaN

Atomic layer deposition (ALD) of ZrO2 on native oxide covered (untreated) and buffered oxide etchant (BOE) treated AlGaN surface was analyzed by utilizing x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and high-resolution transmission electron microscopy. Evidenced by Ga–O and Al–O chemical bonds by XPS, pa...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Ye, Gang, Wang, Hong, Ng, Serene Lay Geok, Ji, Rong, Arulkumaran, Subramaniam, Ng, Geok Ing, Li, Yang, Liu, Zhi Hong, Ang, Kian Siong
مؤلفون آخرون: School of Electrical and Electronic Engineering
التنسيق: مقال
اللغة:English
منشور في: 2015
الوصول للمادة أونلاين:https://hdl.handle.net/10356/81082
http://hdl.handle.net/10220/39102
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: Nanyang Technological University
اللغة: English

مواد مشابهة