Optical characteristics of p-type GaAs-based semiconductors towards applications in photoemission infrared detectors
Free-carrier effects in a p-type semiconductor including the intra-valence-band and inter-valence-band optical transitions are primarily responsible for its optical characteristics in infrared. Attention has been paid to the inter-valence-band transitions for the development of internal photoemissio...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | مقال |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2017
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/83619 http://hdl.handle.net/10220/42699 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| المؤسسة: | Nanyang Technological University |
| اللغة: | English |