Shape effects on the electronic structure and the optical gain of InAsN/GaAs nanostructures : from a quantum lens to a quantum ring

The electronic structures of self-assembled InAs1−xNx/GaAs nanostructures from quantum lens to quantum rings (QRs) are calculated using the 10-band k.p method and the valence force field (VFF) method. With the variation of shape of the nanostructure and nitrogen (N) content, it shows that the N and...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Xu, Q., Zhang, X. W., Li, S. S., Chen, Jian, Fan, Weijun, Xia, Jian-Bai
مؤلفون آخرون: School of Electrical and Electronic Engineering
التنسيق: مقال
اللغة:English
منشور في: 2013
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://hdl.handle.net/10356/96490
http://hdl.handle.net/10220/10301
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة