The development of RAS and RHEED as in situ probes to monitor dopant segregation in GS-MBE on Si (0 0 1)
10.1016/S0022-0248(01)00811-9
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Hartell, A.D., Tok, E.S., Zhang, J. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | MATERIALS SCIENCE |
التنسيق: | Conference or Workshop Item |
منشور في: |
2014
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/107316 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | National University of Singapore |
مواد مشابهة
-
Dynamics and surface segregation during GSMBE of Si1-yCy and Si1-x-yGexCy on the Si(0 0 1) surface
بواسطة: Price, R.W., وآخرون
منشور في: (2014) -
One-dimensional aligned InAs/InP quantum dots chain growth by metalorganic vapor phase epitaxy for 1.55 μm application
بواسطة: Teng, J.H., وآخرون
منشور في: (2014) -
Highly strained quantum structures grown on GaAs (0 0 1) vicinal substrate by MOCVD
بواسطة: Wang, B., وآخرون
منشور في: (2014) -
Selective growth of GaAs quantum dots on the triangle nanocavities bounded by SiO2 mask on Si substrate by MBE
بواسطة: Zheng, Y.B., وآخرون
منشور في: (2014) -
Epitaxial growth of co-doped Eu and Sm in α-Zn0.05Sr 0.95S on (0 0 1)MgO substrate using α-MnS buffer layer
بواسطة: Chen, C., وآخرون
منشور في: (2014)