Gate Dielectric-Breakdown-Induced Microstructural Damage in MOSFETs

• المؤلفون الرئيسيون: Tang, L.J., Pey, K.L., Tung, C.H., Radhakrishnan, M.K., Lin, W.H.
• مؤلفون آخرون: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS
• التنسيق: Conference or Workshop Item
• منشور في: 2014
• الموضوعات: Breakdown; Dielectric-breakdown-induced epitaxy; Gate dielectrics; Gate oxide; MOSFET
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/115430

10.1109/TDMR.2004.824374