Gate Dielectric-Breakdown-Induced Microstructural Damage in MOSFETs
10.1109/TDMR.2004.824374
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Tang, L.J., Pey, K.L., Tung, C.H., Radhakrishnan, M.K., Lin, W.H. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | INSTITUTE OF MICROELECTRONICS |
التنسيق: | Conference or Workshop Item |
منشور في: |
2014
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/115430 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | National University of Singapore |
مواد مشابهة
-
Gate dielectric degradation mechanism associated with DBIE evolution
بواسطة: Pey, K.L., وآخرون
منشور في: (2014) -
A new breakdown failure mechanism in HfO 2 gate dielectric
بواسطة: Ranjan, R., وآخرون
منشور في: (2014) -
GATE DIELECTRIC BREAKDOWN - 2D MODELING OF THE DBIE IMPACT ON THE DEVICE CHARACTERISTICS
بواسطة: CAO YU
منشور في: (2019) -
Reliability modeling of ultra-thin gate oxide and high-k dielectrics for nano-scale CMOS devices
بواسطة: LOH WEI YIP
منشور في: (2010) -
On the impact ionization in double-gate MOSFET using full band monte carlo method
بواسطة: Bai, P., وآخرون
منشور في: (2014)