Spin-Hall Magnetic Random-Access Memory With Dual Read/Write Ports for On-Chip Caches
10.1109/LMAG.2015.2422260
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Seo, Yeongkyo, Fong, Xuanyao, Kwon, Kon-Woo, Roy, Kaushik |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL AND COMPUTER ENGINEERING |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
2019
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/156187 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
High Performance and Energy-Efficient On-Chip Cache Using Dual Port (1R/1W) Spin-Orbit Torque MRAM
بواسطة: Seo, Yeongkyo, وآخرون
منشور في: (2019) -
Multilevel Spin-Orbit Torque MRAMs
بواسطة: Kim, Yusung, وآخرون
منشور في: (2019) -
Non-Volatile Complementary Polarizer Spin-Transfer Torque On-Chip Caches: A Device/Circuit/Systems Perspective
بواسطة: Fong, Xuanyao, وآخرون
منشور في: (2019) -
Complimentary Polarizers STT-MRAM (CPSTT) for On-Chip Caches
بواسطة: Fong, Xuanyao, وآخرون
منشور في: (2019) -
R-MRAM: A ROM-Embedded STT MRAM Cache
بواسطة: Lee, Dongsoo, وآخرون
منشور في: (2019)