Effects of volatility of etch by-products on surface roughness during etching of metal gates in Cl2
10.1149/1.2799079
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Hwang, W.S., Cho, B.-J., Chan, D.S.H., Lee, S.W., Yoo, W.J. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/55785 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Effects of SiO2/Si3N4 hard masks on etching properties of metal gates
بواسطة: Hwang, W.S., وآخرون
منشور في: (2014) -
Investigation of etching properties of metal nitride/high-k gate stacks using inductively coupled plasma
بواسطة: Hwang, W.S., وآخرون
منشور في: (2014) -
Study of roughness evolution during reactive ion etching
بواسطة: Santosh Kumar Pani
منشور في: (2010) -
Effects of poly-Si annealing on gate oxide charging damage in Poly-Si gate etching process
بواسطة: Chong, D., وآخرون
منشور في: (2014) -
In situ trench etching and releasing technique of high aspect ratio beams using magnetically enhanced reactive ion etching
بواسطة: Kok, K.W., وآخرون
منشور في: (2014)