A new DC drain-current-conductance method (DCCM) for the characterization of effective mobilty (ueff) and series resistances (Rs, Rd) of fresh and hot-carrier stressed graded junction MOSFET's
10.1109/55.596926
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Lou, C.L., Chim, W.K., Chan, D.S.H., Pan, Y. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL ENGINEERING |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/80276 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
A novel single-device DC method for extraction of the effective mobility and source-drain resistances of fresh and hot-carrier degraded drain-engineered MOSFET's
بواسطة: Lou, C.-L., وآخرون
منشور في: (2014) -
Effective channel mobility and series resistance extraction for fresh and hot-carrier stressed graded junction MOSFETs using a single device
بواسطة: Lou, C.L., وآخرون
منشور في: (2014) -
MOSFET drain current noise modeling with effective gate overdrive and junction noise
بواسطة: Chan, L. H. K., وآخرون
منشور في: (2013) -
Hot carrier reliability of strained N-MOSFET with lattice mismatched source/drain stressors
بواسطة: Ang, K.-W., وآخرون
منشور في: (2014) -
Hot-carrier reliability of n- and p-channel MOSFETs with polysilicon and CVD tungsten-polycide gate
بواسطة: Lou, C.L., وآخرون
منشور في: (2014)