Responsivities of n-type GaAs/InGaAs/AlGaAs step multiple-quantum-well infrared detectors
10.1063/1.1431395
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Cheah, C.W., Karunasiri, G., Tan, L.S., Zhou, L.F. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL ENGINEERING |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/81106 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | National University of Singapore |
مواد مشابهة
-
Analysis of AlGaAs/GaAs/InGaAs n-type step multiple quantum wells for the optimization of normal incident absorption
بواسطة: Cheah, C.W., وآخرون
منشور في: (2014) -
Thermionic emission and tunneling in InGaAs/GaAs quantum well infrared detectors
بواسطة: Karunasiri, G.
منشور في: (2014) -
GaAs/AlAs/AlGaAs quantum well infrared photodetector
بواسطة: Fan, Weijun
منشور في: (2008) -
Study of quantum phenomena in intermixed GaAs/AlGaAs and InGaAs/InGaAsP quantum well structures
بواسطة: Au Yeung, Tin Cheung.
منشور في: (2008) -
Normal incident intersubband infrared detector using n-type InGaAs/GaAs quantum wells
بواسطة: Karunasiri, Gamani, وآخرون
منشور في: (2014)