Evaluation of electrical stress effects on SiO2-Si structures using scanning electron microscope cathodoluminescence
10.1063/1.122803
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Liu, X., Chan, D.S.H., Chim, W.K., Phang, J.C.H. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL ENGINEERING |
التنسيق: | Review |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/81818 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | National University of Singapore |
مواد مشابهة
-
Cathodoluminescence evaluation of electrical stress condition of Si-SiO2 structures
بواسطة: Liu, X., وآخرون
منشور في: (2014) -
Properties of 2.7 eV cathodoluminescence from SiO2 film on Si substrate
بواسطة: Liu, X., وآخرون
منشور في: (2014) -
Investigation of dislocations in GaAs using cathodoluminescence in the scanning electron microscope
بواسطة: Pey, K.L., وآخرون
منشور في: (2014) -
Semiconductor parameters extraction using cathodoluminescence in the scanning electron microscope
بواسطة: Chan, Daniel S.H., وآخرون
منشور في: (2014) -
ELECTRON TRAJECTORY TRACKING ALGORITHMS FOR ANALYSING VOLTAGE CONTRAST SIGNALS IN THE SCANNING ELECTRON MICROSCOPE.
بواسطة: Chim, W.K., وآخرون
منشور في: (2014)