A high-yield HfOx-based unipolar resistive ram employing Ni electrode compatible with Si-diode selector for crossbar integration

10.1109/LED.2010.2099205

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Tran, X.A., Yu, H.Y., Yeo, Y.C., Wu, L., Liu, W.J., Wang, Z.R., Fang, Z., Pey, K.L., Sun, X.W., Du, A.Y., Nguyen, B.Y., Li, M.F.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	مقال
منشور في:	2014
الموضوعات:	HfOx resistive random access memory (RRAM) unipolar resistive switching (RS)
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/81875
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة:	National University of Singapore

مواد مشابهة