A self-rectifying HfO x-based unipolar RRAM with Nisi electrode

• المؤلفون الرئيسيون: Tran, X.A., Zhu, W.G., Gao, B., Kang, J.F., Liu, W.J., Fang, Z., Wang, Z.R., Yeo, Y.C., Nguyen, B.Y., Li, M.F., Yu, H.Y.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الموضوعات: Resistive random access memory (RAM) (RRAM); resistive switching; self-rectify; unipolar
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/81910

10.1109/LED.2011.2181971