Annealing-induced group v intermixing in InAs/InP quantum dots probed by micro-Raman spectroscopy
10.1149/1.1938849
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Tripathy, S., Chia, C.K., Dong, J.R., Chua, S.J. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/81977 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | National University of Singapore |
مواد مشابهة
-
Halftoning band gap of InAs/InP quantum dots using inductively coupled argon plasma-enhanced intermixing
بواسطة: Xu, C. D., وآخرون
منشور في: (2010) -
Widely tunable intersubband energy spacing of self-assembled InAs/GaAs quantum dots due to interface intermixing
بواسطة: Wang, X.C., وآخرون
منشور في: (2014) -
Widely tunable intersubband energy spacing of self-assembled InAs/GaAs quantum dots due to interface intermixing
بواسطة: Wang, X. C., وآخرون
منشور في: (2013) -
Detection of Ge and Si intermixing in Ge/Si using multiwavelength micro-raman spectroscopy
بواسطة: Yoo, Woo Sik, وآخرون
منشور في: (2015) -
Effects of rapid thermal annealing on structure and luminescence of self-assembled InAs/GaAs quantum dots
بواسطة: Xu, S.J., وآخرون
منشور في: (2014)