Interface properties and reliability of ultrathin oxynitride films grown on strained Si1-xGex substrates
10.1063/1.1540224
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Samanta, S.K., Chatterjee, S., Maikap, S., Bera, L.K., Banerjee, H.D., Maiti, C.K. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82555 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Effects of thermal annealing on the electrical properties of tetraethylorthosilicate-based oxynitride films deposited on strained-Si1-xGex
بواسطة: Samanta, S.K., وآخرون
منشور في: (2014) -
Effects of nitric-oxide-plasma treatment on the electrical properties of tetraethylorthosilicate-deposited silicon dioxides on strained-Si1-xGex layers
بواسطة: Senapati, B., وآخرون
منشور في: (2014) -
Reliability of ultrathin (
بواسطة: Samanta, S.K., وآخرون
منشور في: (2014) -
Effect of post-oxidation annealing on the electrical properties of deposited oxide and oxynitride films on strained-Si0.82Ge0.18 layers
بواسطة: Samanta, S.K., وآخرون
منشور في: (2014) -
Structural and electrical characterizations of oxynitride films on solid phase epitaxially grown silicon carbide
بواسطة: Bera, L.K., وآخرون
منشور في: (2014)