Performance comparison of armchair-edged and nitrogen-doped zigzag-edged graphene nanoribbon Schottky barrier field-effect transistors
10.1109/INEC.2011.5991642
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Lam, K.-T., Peck, Y.-Z., Lim, Z.-H., Liang, G. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING |
التنسيق: | Conference or Workshop Item |
منشور في: |
2014
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/84074 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Graphene nanoribbon schottky diodes using asymmetric contacts
بواسطة: Kargar, A., وآخرون
منشور في: (2014) -
Device performance of graphene nanoribbon field effect transistors with edge roughness effects: A computational study
بواسطة: Leong, Z.-Y., وآخرون
منشور في: (2014) -
Controlling armchair and zigzag edges in oxidative cutting of graphene
بواسطة: Sk, Mahasin Alam, وآخرون
منشور في: (2017) -
Drivability improvement in Schottky barrier source/drain MOSFETs with strained-Si channel by Schottky barrier height reduction
بواسطة: Zhu, S., وآخرون
منشور في: (2014) -
Influence of contact doping on graphene nanoribbon heterojunction tunneling field effect transistors
بواسطة: Da, H., وآخرون
منشور في: (2014)