Modified Rayleigh criterion for 90 nm lithography technologies and below
10.1016/j.mee.2003.10.003
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Chua, G.S., Tay, C.J., Quan, C., Lin, Q. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | MECHANICAL ENGINEERING |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/85430 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Customized illumination shapes for 193nm immersion lithography
بواسطة: Moh, L.L., وآخرون
منشور في: (2014) -
Dipole options for 90nm lithography technologies and below
بواسطة: Chua, G.S., وآخرون
منشور في: (2014) -
Resolution Enhancement Techniques (RET) for Immersion Lithography
بواسطة: LING MOH LUNG
منشور في: (2011) -
Optical resolution enhancement techniques and applications in optical lithography
بواسطة: CHUA GEK SOON
منشور في: (2010) -
Line end shortening and corner rounding for novel off-axis illumination source shapes
بواسطة: Ling, M.L., وآخرون
منشور في: (2014)