Study of diffusion barrier properties of ternary alloy (TixAlyNz) in Cu/TixAlyNz/SiO2/Si thin film structure
10.1016/S1369-8001(00)00031-7
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Lee, Y.K., Latt, K.M., Osipowicz, T., Sher-Yi, C. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | PHYSICS |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/98085 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Behaviour of ionized metal plasma deposited Ta diffusion barrier between Cu and SiO2
بواسطة: Maung Latt, K., وآخرون
منشور في: (2014) -
Study of diffusion barrier properties of ionized metal plasma (IMP) deposited tantalum (Ta) between Cu and SiO2
بواسطة: Lee, Y.K., وآخرون
منشور في: (2014) -
Comparative analysis and study of ionized metal plasma (IMP)-Cu and chemical vapor deposition (CVD)-Cu on diffusion barrier properties of IMP-TaN on SiO2
بواسطة: Lee, Y.K., وآخرون
منشور في: (2014) -
SilverTix: connecting our elderly communities
بواسطة: Goh, Alicia Qiao Hui
منشور في: (2024) -
Study on SiNx passivated Cu/Ta/SiO2/Si multilayer structure
بواسطة: Latt, K.M., وآخرون
منشور في: (2014)