Plasma assisted deposition of Ti-Si-N and Ti-Si-N-O diffusion barrier films
216 p.
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Ee, Elden Yong Chiang |
---|---|
مؤلفون آخرون: | Chen Zhong |
التنسيق: | Theses and Dissertations |
منشور في: |
2010
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/35963 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Barrier property of TiSiN films formed by low frequency, high density inductively coupled plasma process
بواسطة: Chen, Z., وآخرون
منشور في: (2012) -
Low temperature physical-chemical vapor deposition of Ti-Si-N-O barrier films
بواسطة: Lu, T. M., وآخرون
منشور في: (2012) -
Electroless copper deposition as a seed layer on TiSiN barrier
بواسطة: Chen, Z., وآخرون
منشور في: (2012) -
Copper diffusion in Ti–Si–N layers formed by inductively coupled plasma implantation
بواسطة: Xu, S., وآخرون
منشور في: (2012) -
Synthesis of boron doped continuous diamond film by microwave assisted plasma enhanced chemical vapour deposition
بواسطة: Wang, Shancheng
منشور في: (2016)