Studies on high-frequency noise characteristics in deep submicron NMOSFETs
RF noise characterstics of deep sub-micrometer MOSFETs are nvestigated in this work. The direct matrix method to extract the channel thermal noise and induced gate noise is analyzed. In deep sub micron NMOSFETs, the contributions from some extrinsic elements are small and can be neglected. The proce...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Zeng, Rong |
---|---|
مؤلفون آخرون: | Wang Hong |
التنسيق: | Theses and Dissertations |
اللغة: | English |
منشور في: |
2010
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/40925 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Nanyang Technological University |
اللغة: | English |
مواد مشابهة
-
High frequency noise modeling of deep-submicron MOSFETs
بواسطة: Ong, Shih Ni
منشور في: (2015) -
Novel transistor structures for future deep submicron MOS applications
بواسطة: Theng, Ah Leong
منشور في: (2010) -
A new field dependent mobility model for high frequency channel thermal noise of deep submicron RFCMOS
بواسطة: Ong, Shih Ni, وآخرون
منشور في: (2013) -
Degradation of high-frequency noise in nMOSFETs under different modes of hot-carrier stress
بواسطة: Liao, Hong, وآخرون
منشور في: (2013) -
Flicker noise fluctuations in deep submicron MOSFETs
بواسطة: Chew, Johnny Kok Wai
منشور في: (2010)