Study of modulation doping and ridge height effects in InAs/GaAs quantum dot lasers
Recently, the rapid development of the networks requires fast and stable laser sources. Since quantum dot (QD) lasers are expected to have low threshold current, high characteristic temperature, high material gain, and high differential gain over conventional quantum well (QW) lasers, they have been...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | Theses and Dissertations |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2012
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/49506 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| المؤسسة: | Nanyang Technological University |
| اللغة: | English |