Comments on "thermal resistance calculation of AlGaN-GaN devices"
10.1109/TMTT.2005.854219
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Yin, W.-Y., Darwish, A.M., Bayba, A., Hung, H.A. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | TEMASEK LABORATORIES |
التنسيق: | Others |
منشور في: |
2014
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/116148 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Enhanced performance of ultraviolet AlGaN/GaN photo-HEMTs by optimized channel isolation schemes
بواسطة: Mondal, Ramit Kumar, وآخرون
منشور في: (2024) -
AlGaN/GaN high electron mobility transistors with implanted ohmic contacts
بواسطة: Wang, H.T., وآخرون
منشور في: (2014) -
AlGaN/GaN HEMT-based ultraviolet photodetectors with enhanced device efficiency
بواسطة: Ahmed Salah Hawash Razeen
منشور في: (2024) -
Investigation of self-heating effect on DC and RF performances in AlGaN/GaN HEMTs on CVD-Diamond
بواسطة: Ranjan, Kumud, وآخرون
منشور في: (2020) -
Impact of carbon impurities on the initial leakage current of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
بواسطة: Gao, Yu, وآخرون
منشور في: (2019)