HIGH-PERFORMANCE OXIDE-BASED FERROELECTRIC FETS AND FETS FOR NON-VOLATILE LOGIC APPLICATIONS

HIGH-PERFORMANCE OXIDE-BASED FERROELECTRIC FETS AND FETS FOR NON-VOLATILE LOGIC APPLICATIONS

Ph.D

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي:	CHEN CHUN-KUEI
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	Theses and Dissertations
اللغة:	English
منشور في:	2024
الموضوعات:	Oxide semiconductor, Ferroelectric, FET, M3D, Non-volatile Logic, FPGA
الوصول للمادة أونلاين:	https://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/248527
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة

Magnetoelectric spin-fet for memory, logic, and amplifier applications
بواسطة: Tan, S.G., وآخرون
منشور في: (2014)

Transistor device for multi-bit non-volatile storage
بواسطة: Tan, S.G., وآخرون
منشور في: (2014)

Simulation of multiple gate FinFET device gate capacitance and performance with gate length and pitch scaling
بواسطة: Zhao, H., وآخرون
منشور في: (2014)

LOW POWER CIRCUITS DESIGN USING RESISTIVE NON-VOLATILE MEMORIES
بواسطة: HUANG KEJIE
منشور في: (2014)

AMORPHOUS INDIUM-GALLIUM-ZINC-OXIDE-BASED TRANSISTORS FOR EMERGING NON-VOLATILE MEMORY AND NEUROMORPHIC COMPUTING APPLICATIONS
بواسطة: SUN CHEN
منشور في: (2023)

LOW THERMAL BUDGET FERROELECTRIC FIELD-EFFECT TRANSISTORS FOR HIGH-DENSITY EMBEDDED MEMORY AND NEUROMORPHIC COMPUTING SYSTEMS
بواسطة: TSAI SHIH-HAO
منشور في: (2023)

Analytical extraction of extrinsic and intrinsic FET parameters
بواسطة: Ooi, B.L., وآخرون
منشور في: (2014)

A novel table based large signal model for FETs based on non-quasi-static effect high order sources
بواسطة: Long, Y., وآخرون
منشور في: (2014)

Phase change liner stressor for strain engineering of P-channel FinFETs
بواسطة: Ding, Y., وآخرون
منشور في: (2014)

ADVANCED MODELING APPROACHES FOR MICROWAVE FET DEVICES & SUB-SYSTEMS
بواسطة: LONG YUNSHEN
منشور في: (2014)

A junctionless gate-all-around silicon nanowire FET of high linearity and its potential applications
بواسطة: Wang, T., وآخرون
منشور في: (2014)

Device physics and characteristics of graphene nanoribbon tunneling FETs
بواسطة: Chin, S.-K., وآخرون
منشور في: (2014)

A new robust non-local algorithm for band-to-band tunneling simulation and its application to tunnel-FET
بواسطة: Shen, C., وآخرون
منشور في: (2014)

Strained silicon nanowire p-channel FETs with diamond-like carbon liner stressor
بواسطة: Liu, B., وآخرون
منشور في: (2014)

Drive-current enhancement in FinFETs using gate-induced stress
بواسطة: Tan, K.-M., وآخرون
منشور في: (2014)

Pulsed laser deposition of PZT/LSCO heterostructures for FE-FET application
بواسطة: Liu, J.-M., وآخرون
منشور في: (2014)

Ternary logics based on 2D ferroelectric-incorporated 2D semiconductor field effect transistors
بواسطة: Zhao, Guangchao, وآخرون
منشور في: (2022)

Surface passivation and high-k dielectrics integration of Ge-based FETs: First-principles calculations and in situ characterizations.
بواسطة: YANG MING
منشور في: (2010)

Platinum germanosilicide as source/drain contacts in P-channel fin field-effect transistors (FinFETs)
بواسطة: Lee, R.T.P., وآخرون
منشور في: (2014)

Analysis of the effects of fringing electric field on finFET device performance and structural optimization using 3-D simulation
بواسطة: Zhao, H., وآخرون
منشور في: (2014)

ENERGY AND AREA EFFICIENT MAGNETIC TUNNEL JUNCTION BASED NON-VOLATILE MEMORY AND LOGIC
بواسطة: KARIM ALI ABDELTAWWAB AHMED
منشور في: (2019)

Thermal transient response of GaAs FETs under intentional electromagnetic interference (IEMI)
بواسطة: Xu, J., وآخرون
منشور في: (2014)

An Epitaxial Ferroelectric Tunnel Junction on Silicon
بواسطة: Li, Zhipeng, وآخرون
منشور في: (2016)

FIN FET SIDE WALL FORMATION, CHARACTERIZATION AND RELATED SIMULATION
بواسطة: LIU JIN
منشور في: (2019)

Preparation of 2D dielectric F-Mica and its application in field-effect transistors
بواسطة: Yau, Lucas Hong Ming
منشور في: (2024)

Design and stability analysis of a low-voltage subharmonic cascode FET mixer
بواسطة: Zijie, H., وآخرون
منشور في: (2014)

Ferroelectric gating of graphene
بواسطة: NI GUANGXIN
منشور في: (2012)

The path to flexible ferroelectrics : approaches and progress
بواسطة: Chang, Lei, وآخرون
منشور في: (2020)

A FinFET and Tri-gate MOSFET's channel structure patterning and its influence on the device performance
بواسطة: Jagar, S., وآخرون
منشور في: (2014)

Achieving conduction band-edge Schottky barrier height for arsenic-segregated nickel aluminide disilicide and implementation in FinFETs with ultra-narrow fin widths
بواسطة: Lee, R.T.-P., وآخرون
منشور في: (2014)

Contact resistance reduction technology using aluminum implant and segregation for strained p-FinFETs with silicongermanium source/drain
بواسطة: Sinha, M., وآخرون
منشور في: (2014)

Spacer removal technique for boosting strain in n-channel FinFETs with silicon-carbon source and drain stressors
بواسطة: Liow, T.-Y., وآخرون
منشور في: (2014)

Strained p-channel FinFETs with extended Π-shaped silicon-germanium source and drain stressors
بواسطة: Tan, K.-M., وآخرون
منشور في: (2014)

Random telegraph signal noise in gate-all-around Si-FinFET with ultranarrow body
بواسطة: Lim, Y.F., وآخرون
منشور في: (2014)

On-chip non-volatile reconfigurable THz varifocal metalens
بواسطة: Zhang, Shoujun, وآخرون
منشور في: (2024)

N-channel FinFETs with 25-nm gate length and Schottky-Barrier source and drain featuring Ytterbium silicide
بواسطة: Lee, R.T.P., وآخرون
منشور في: (2014)

Ultrafast Thermalization Pathways of Excited Bulk and Surface States in the Ferroelectric Rashba Semiconductor GeTe
بواسطة: Clark, Oliver J., وآخرون
منشور في: (2022)

Device implementation and arithmetic circuit design of ternary logic
بواسطة: Zhao, Guangchao
منشور في: (2024)

P-channel tri-gate FinFETs featuring Ni1-yPtySiGe source/drain contacts for enhanced drive current performance
بواسطة: Lee, R.T.-P., وآخرون
منشور في: (2014)

Single spin-fet for programmable logic gates
بواسطة: Tan, S.G., وآخرون
منشور في: (2014)