Effect of In-segregation on subbands in GaInNAs/GaAs quantum wells emission around 1.3 and 1.55 micron
10.1007/s11082-006-9042-8
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Dixit, V., Liu, H.F., Xiang, N. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING |
التنسيق: | Conference or Workshop Item |
منشور في: |
2014
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/70077 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Study of thermal-anneal-induced rearrangement of N-bonding configurations in GalnNAs/GaAs quantum well
بواسطة: Dixit, V., وآخرون
منشور في: (2014) -
Photoluminescence blueshift mechanisms in molecular beam epitaxy grown dilute nitride hetrostructures
بواسطة: VIVEK DIXIT
منشور في: (2010) -
Optical gain of segregated GaInNAs/GaAs quantum wells at emission wavelength of 1.3 micron
بواسطة: Dixit, V., وآخرون
منشور في: (2014) -
Effect of nitrogen on indium segregation in GaInNAs/GaAs quantum wells
بواسطة: Dixit, V., وآخرون
منشور في: (2014) -
Effect of rapid thermal annealing on the properties of GaNAs thin films grown by molecular beam epitaxy
بواسطة: Liu, H.F., وآخرون
منشور في: (2014)