Comparison of Fowler-Nordheim stress on tungsten polycided and non-polycided MOS capacitors
IEEE International Conference on Semiconductor Electronics, Proceedings, ICSE
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Ooi, J.A., Ling, C.H. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL ENGINEERING |
التنسيق: | Conference or Workshop Item |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/72525 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Effects of tungsten silicidation on Fowler-Nordheim tunnelling current and charge trapping in polysilicon-oxide-silicon capacitors
بواسطة: Ling, C.H., وآخرون
منشور في: (2014) -
HOT-CARRIER CHARACTERIZATION OF TUNGSTEN POLYCIDE GATE AND GRADED-JUNCTION MOS TRANSISTORS
بواسطة: LOU CHOON LEONG
منشور في: (2020) -
A comparison of hot-carrier degradation in tungsten polycide gate and poly gate p-MOSFETs
بواسطة: Ang, D.S., وآخرون
منشور في: (2014) -
The effects of polysilicon dopant depletion and Fowler-Nordheim tunnelling on the characteristics of N+ polysilicon-oxide-silicon capacitors
بواسطة: Ling, C.H., وآخرون
منشور في: (2014) -
Effects of tungsten polycidation on the hot-carrier degradation in buried-channel LDD p-MOSFET's
بواسطة: Ang, D.S., وآخرون
منشور في: (2014)