Composite step-graded collector of InP/InGaAs/lnP DHBT for minimised carrier blocking

Composite step-graded collector of InP/InGaAs/lnP DHBT for minimised carrier blocking

Electronics Letters

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Chor, E.F., Peng, C.J.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL ENGINEERING
التنسيق:	مقال
منشور في:	2014
الموضوعات:	Heterojunction bipolar transistors Semiconductor devices
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/80330
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة

Heterojunction bipolar transistor with an additional minority carrier reflection barrier in the emitter
بواسطة: Chor, E.F., وآخرون
منشور في: (2014)

CMOS-compatible Ti/TiN/Al refractory ohmic contact for GaAs heterojunction bipolar transistors grown on Ge/Si substrate
بواسطة: Wang, Yue, وآخرون
منشور في: (2022)

In0.49Ga0.51P/GaAs heterojunction bipolar transistors (HBTs) on 200 mm Si substrates: Effects of base thickness, base and sub-collector doping concentrations
بواسطة: Wang, Y, وآخرون
منشور في: (2020)

Efficient method for heterojunction bipolar transistor model parameter extraction based on correlation between extrinsic and intrinsic elements
بواسطة: Ooi, B.L., وآخرون
منشور في: (2014)

Metallurgical stability of ohmic contacts on thin base InP/InGaAs/InP HBT's
بواسطة: Chor, E.F., وآخرون
منشور في: (2014)

Graphene nanoribbon tunneling field-effect transistors with a semiconducting and a semimetallic heterojunction channel
بواسطة: Da, H., وآخرون
منشور في: (2014)

The development of a highly selective KI/I2/H2O/H2SO4 etchant for the selective etching of Al0.3Ga0.7As over GaAs
بواسطة: Lau, W.S., وآخرون
منشور في: (2014)

In0.3Ga0.7As heterojunction bipolar transistor grown on GeSi substrate for high-frequency application
بواسطة: Loke, Wan Khai, وآخرون
منشور في: (2022)

A distributed millimeter-wave small-signal HBT model based on electromagnetic simulation
بواسطة: Ooi, B.-L., وآخرون
منشور في: (2014)

High-Frequency Characteristics of InGaP/GaAs Double Heterojunction Bipolar Transistor Epitaxially Grown on 200 mm Ge/Si Wafers
بواسطة: Khai, L.W., وآخرون
منشور في: (2021)

A simulation study of graphene-nanoribbon tunneling FET with heterojunction channel
بواسطة: Lam, K.-T., وآخرون
منشور في: (2014)

HBT characterization and modeling for nonlinear microwave circuit design
بواسطة: ZHOU TIANSHU
منشور في: (2010)

MOCVD growth of InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistors on 200 mm Si wafers for heterogeneous integration with Si CMOS
بواسطة: Loke, Wan Khai, وآخرون
منشور في: (2020)

High-frequency characteristics of InGaP/GaAs double heterojunction bipolar transistor epitaxially grown on 200 mm Ge/Si wafers
بواسطة: Loke, Wan Khai, وآخرون
منشور في: (2020)

A fast and practical approach to the determination of junction temperature and thermal resistance for BJT/HBT devices
بواسطة: Chen, B., وآخرون
منشور في: (2014)

A fast and practical approach to the determination of junction temperature and thermal resistance for BJT/HBT devices
بواسطة: Ooi, B.L., وآخرون
منشور في: (2014)

First-step nucleation growth dependence of InAs/InGaAs/InP quantum dot formation in two-step growth
بواسطة: Yin, Z., وآخرون
منشور في: (2014)

I-V characteristics of electrodeposited PPy(p-TS)/n-silicon
بواسطة: Quiroga, Reuben V., وآخرون
منشور في: (2023)

Design and fabrication of GaAs/GaAIAs heterojunction bipolar transistors with symmetrical characteristic
بواسطة: Tun, Nay Myo
منشور في: (2008)

Fabrication and characterization of InP/InGaAs Metamorphic heterojunction bipolar transistors (HBTs)
بواسطة: Yang, Hong
منشور في: (2008)

Resistive switching in p-type nickel oxide/n-type indium gallium zinc oxide thin film heterojunction structure
بواسطة: Li, Huakai, وآخرون
منشور في: (2018)

Characteristics and analysis of high speed InGaAs/InP uni-traveling-carrier photodiodes (UTC-PD)
بواسطة: Li, Mengqiong
منشور في: (2015)

Online condition monitoring of IGBT modules using voltage change rate identification
بواسطة: Pou, Josep, وآخرون
منشور في: (2019)

A new approach to P-doping and the observation of efficiency enhancement in InP/InGaAs quantum well solar cells
بواسطة: Zacnariou, A., وآخرون
منشور في: (1996)

MOCVD Growth and Fabrication of High Power MUTC Photodiodes Using InGaAs-InP System
بواسطة: Singh, Nandan, وآخرون
منشور في: (2016)

Intermixing diffusion coefficients and residual damage in InGaAs/InP heterostructures of varying composition and strain
بواسطة: Sunida Awirothananon
منشور في: (2006)

Characteristics of InAlAs/InGaAs heterostructures grown on InP substrates by molecular beam epitaxy
بواسطة: Miao, Yubo.
منشور في: (2009)

Intermixing diffusion coefficients and residual damage in InGaAs/InP heterostructures of varying composition and strain
بواسطة: Sunida Awirothananon
منشور في: (2001)

Influence of contact doping on graphene nanoribbon heterojunction tunneling field effect transistors
بواسطة: Da, H., وآخرون
منشور في: (2014)

Source/drain doping influence on heterojunction graphene nanoribbon tunneling field effect transistors
بواسطة: Da, H., وآخرون
منشور في: (2014)

In 0.49 Ga 0.51 P/GaAs heterojunction bipolar transistors (HBTs) on 200 mm Si substrates : effects of base thickness, base and sub-collector doping concentrations
بواسطة: Wang, Yue, وآخرون
منشور في: (2019)

All polymer bulk heterojunction organic electrochemical transistors with balanced ionic and electronic transport
بواسطة: Wu, Xihu, وآخرون
منشور في: (2022)

Single-crystalline Ge₁₋ₓSnₓ/Si p–n heterojunction photodiodes with Sn compositions up to 10%
بواسطة: An, Shu, وآخرون
منشور في: (2023)

The Effect of Intrinsic Defects on Resistive Switching Based on p–n Heterojunction
بواسطة: Zheng, K., وآخرون
منشور في: (2015)

The effect of intrinsic defects on resistive switching based on p-n heterojunction
بواسطة: Zheng, K., وآخرون
منشور في: (2014)

Characterization and modeling of avalanche multiplication in HBTs
بواسطة: Lin, F., وآخرون
منشور في: (2014)

Thermal effect simulation of GaN HFETs under CW and pulsed operation
بواسطة: Xu, J., وآخرون
منشور في: (2014)

CONTROLLED PREPARATION OF TWO-DIMENSIONAL ORGANIC-INORGANIC VAN DER WAALS HETEROJUNCTIONS FOR HIGH-PERFORMANCE OPTOELECTRONIC DEVICES
بواسطة: ZHANG QING
منشور في: (2023)

Optical and x-ray diffraction characterization of MBE-grown InGaAs, InAIAs and InGaAIAs on InP
بواسطة: Feng, Z.C., وآخرون
منشور في: (2014)

Band gap blue shift of InGaAs/InP multiple quantum wells by different dielectric film coating and annealing
بواسطة: Zhao, J., وآخرون
منشور في: (2014)