Characterization on ferroelectric scandium-doped aluminum nitride for memory applications
Ferroelectric memory is one of the promising candidates to replace FLASH as a new generation of non-volatile memories (NVM), with the advantages of low power consumption, thigh writing and erasing speed and large endurance. With the discovery of ferroelectricity in scandium doped aluminum nitride...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | Thesis-Master by Coursework |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
Nanyang Technological University
2023
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/166378 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|