Electroplating of copper for application in sub-0.25 micron device manufacturing
An in-depth study of the copper electroplating process was carried out with different process parameters such as seed materials, current densities and electrolytes in order to fabricate nanocrystalline electroplated copper to fill up the line and via trenches in sub-0.25 urn devices. The effect of a...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Seah, Chin Hwee. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | School of Applied Science |
التنسيق: | Theses and Dissertations |
اللغة: | English |
منشور في: |
2009
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://hdl.handle.net/10356/19328 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Nanyang Technological University |
اللغة: | English |
مواد مشابهة
-
Characterisation of ion implantation for sub-0.25 micron device manufacturing
بواسطة: Ong, Kok Keng.
منشور في: (2008) -
Electroplating of copper metallization of sub-micron integrated circuits
بواسطة: Law, Shao Beng.
منشور في: (2008) -
Application of phase shift masking to sub-0.13 micron lithography
بواسطة: Koo, Chee Kiong.
منشور في: (2008) -
Application of chemical mechanical polishing for sub-micron semiconductor device fabrication
بواسطة: Goh, Hua Kooi.
منشور في: (2008) -
Thermal reaction of nickel and Si0.75Ge0.25 alloy
بواسطة: Pey, Kin Leong, وآخرون
منشور في: (2012)