ICMAT 2011 : Reliability and variability of semiconductor devices and ICs
Abstract not available in fulltext.
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Asenov, Asen, Schlichtmann, Ulf, Tan, Cher Ming, Wong, Hei, Zhou, Xing |
---|---|
مؤلفون آخرون: | School of Electrical and Electronic Engineering |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
2013
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/97814 http://hdl.handle.net/10220/11112 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Nanyang Technological University |
اللغة: | English |
مواد مشابهة
-
Effect of IC layout on the reliability of CMOS amplifiers
بواسطة: He, Feifei, وآخرون
منشور في: (2013) -
3D circuit model for 3D IC reliability study
بواسطة: Tan, Cher Ming, وآخرون
منشور في: (2010) -
Selected peer-reviewed articles from the international conference on materials for advanced technologies (ICMAT 2011) symposium L: Memory, nanomagnetics, materials and devices
بواسطة: Piramanayagam, S.N., وآخرون
منشور في: (2014) -
Special issue to "ICMAT 2011, symposium N: Advanced materials for energy storage systems-from fundamentals to applications, June 26-July 1, 2011, Singapore"
بواسطة: Adams, S., وآخرون
منشور في: (2014) -
Power management ICs for portable device
بواسطة: Li, Xin
منشور في: (2015)