An Evolutionary Multilayer Perceptron-Based Large-Signal Model of GaN HEMTs Including Self-Heating and Trapping Effects
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Wenrui Hu and Yongxin Guo |
---|---|
مؤلفون آخرون: | DEPT OF ELECTRICAL & COMPUTER ENGG |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2022
|
الوصول للمادة أونلاين: | https://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/225259 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | National University of Singapore |
مواد مشابهة
-
An Evolutionary Multilayer Perceptron-Based Large-Signal Model of GaN HEMTs Including Self-Heating and Trapping Effects
بواسطة: Wenrui Hu, وآخرون
منشور في: (2021) -
On large-signal modeling of GaN HEMTs: Past, development, and future
بواسطة: Haorui Luo, وآخرون
منشور في: (2023) -
ADVANCED MODELLING OF GaAs HBTs AND GaN HEMTs FOR RF APPLICATIONS
بواسطة: HU WENRUI
منشور في: (2022) -
Multi-trap energy states in GaN HEMTs : characterization and modeling
بواسطة: Binit Syamal, وآخرون
منشور في: (2020) -
A Threshold Voltage Model for Charge Trapping Effect of AlGaN/GaN HEMTs
بواسطة: Jia, Y., وآخرون
منشور في: (2021)