Hot-carrier induced degradation of polysilicon and tungsten polycide gate MOSFETs under maximum substrate and gate current stresses
10.1088/0268-1242/11/10/005
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | مقال |
| منشور في: |
2014
|
| الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/80545 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| المؤسسة: | National University of Singapore |