Plasma etching optimization of oxide/nitride/oxide interpoly dielectric breakdown time in flash memory devices
10.1109/66.857949
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Cha, C.L., Chor, E.F., Gong, H., Zhang, A.Q., Chan, L. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL ENGINEERING |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/80991 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Multi-layer high-κ interpoly dielectric for floating gate flash memory devices
بواسطة: Zhang, L., وآخرون
منشور في: (2014) -
Constant current-stress induced breakdown of reoxidized nitrided oxide (ONO) in Flash memory devices
بواسطة: Cha, C.L., وآخرون
منشور في: (2014) -
Effects of surface smoothness and deposition temperature of floating gates in flash memory devices to oxide/nitride/oxide interpoly dielectric breakdown
بواسطة: Cha, C.L., وآخرون
منشور في: (2014) -
Gate Dielectric-Breakdown-Induced Microstructural Damage in MOSFETs
بواسطة: Tang, L.J., وآخرون
منشور في: (2014) -
GATE DIELECTRIC BREAKDOWN - 2D MODELING OF THE DBIE IMPACT ON THE DEVICE CHARACTERISTICS
بواسطة: CAO YU
منشور في: (2019)