Uniform void-free epitaxial CoSi 2 formation on STI bounded narrow Si(lOO) lines by template layer stress reduction
10.1149/1.1798191
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Ho, C.S., Pey, K.L., Tung, C.H., Zhang, B.C., Tee, K.C., Karunasiri, G., Chua, S.J. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL ENGINEERING |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/81331 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
Enhancing modular OO verification with separation logic
بواسطة: Chin, W.-N., وآخرون
منشور في: (2013)
بواسطة: Chin, W.-N., وآخرون
منشور في: (2013)
مواد مشابهة
-
Thermal studies on stress-induced void-like defects in epitaxial-CoSi 2 formation
بواسطة: Ho, C.S., وآخرون
منشور في: (2014) -
Nitride-mediated epitaxy of CoSi2 on Si(001)
بواسطة: Chong, R.K.K., وآخرون
منشور في: (2014) -
TEM Study of a RTO Oxide-Interfacial Layer on Epitaxial-Cobalt Silicide (CoSi2) Formation
بواسطة: Ng Khim Hong
منشور في: (2019) -
ANALISIS KINERJA KEUANGAN PERUM PERUMNAS BERDASARKAN SK MENTERI BUMN No. KEP-lOO/MBU/2OO2
بواسطة: SETYO ERRI TRI KURNIAWAN, 049715700
منشور في: (2003) -
STI-induced damage and hot-carrier reliability in the narrow width short channel NMOSFET fabricated using global strained-Si technology
بواسطة: Phua, W.H.T., وآخرون
منشور في: (2014)