Silane-ammonia surface passivation for gallium arsenide surface-channel n-MOSFETs

Silane-ammonia surface passivation for gallium arsenide surface-channel n-MOSFETs

10.1109/LED.2008.2010831

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Chin, H.-C., Zhu, M., Liu, X., Lee, H.-K., Shi, L., Tan, L.-S., Yeo, Y.-C.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	مقال
منشور في:	2014
الموضوعات:	GaAs High mobility High-k MOSFET Surface passivation
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83019
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة

In situ surface passivation and CMOS-compatible palladium-germanium contacts for surface-channel gallium arsenide MOSFETs
بواسطة: Chin, H.-C., وآخرون
منشور في: (2014)

Silane and ammonia surface passivation technology for high-mobility In 0.53Ga0.47As MOSFETs
بواسطة: Chin, H.-C., وآخرون
منشور في: (2014)

Novel III-V mosfet integrated with high-k dielectric and metal gate for future CMOS technology
بواسطة: LIN JIANQIANG
منشور في: (2010)

Lattice-mismatched In0.4Ga0.6As Source/Drain stressors with In Situ doping for strained In0.53 Ga0.47 as channel n-MOSFETs
بواسطة: Chin, H.-C., وآخرون
منشور في: (2014)

High-permittivity dielectric stack on gallium nitride formed by silane surface passivation and metal-organic chemical vapor deposition
بواسطة: Liu, X., وآخرون
منشور في: (2014)

Study on high mobility channel transistors for future sub-10 nm CMOS technology
بواسطة: GAO FEI
منشور في: (2010)

Strained germanium-tin (GeSn) p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors (p-MOSFETs) with ammonium sulfide passivation
بواسطة: Wang, L., وآخرون
منشور في: (2014)

Gate-first germanium nMOSFET with CVD HfO2 gate dielectric and silicon surface passivation
بواسطة: Wu, N., وآخرون
منشور في: (2014)

Development of high mobility channel layer formation technology for high speed CMOS Devices
بواسطة: OH HOON JUNG
منشور في: (2011)

In situ surface passivation of gallium nitride for metalOrganic chemical vapor deposition of high-permittivity gate dielectric
بواسطة: Liu, X., وآخرون
منشور في: (2014)

Sputter-deposited ZrO2 gate dielectric on high mobility epitaxial-GaAs/Ge channel material for advanced CMOS applications
بواسطة: Dalapati, G.K., وآخرون
منشور في: (2014)

Study of surface passivation of strained indium gallium arsenide by vacuum annealing and silane treatment
بواسطة: Chin, H.-C., وآخرون
منشور في: (2014)

Surface passivation and high-k dielectrics integration of Ge-based FETs: First-principles calculations and in situ characterizations.
بواسطة: YANG MING
منشور في: (2010)

Contact and source/drain engineering for advanced III-V field-effect transistors
بواسطة: KONG YU JIN EUGENE
منشور في: (2014)

A comparison of the selective etching characteristics of conventional and low-temperature-grown GaAs over AlAs by various etching solutions
بواسطة: Zhao, R., وآخرون
منشور في: (2014)

Extending Si CMOS: InGaAs and GeSn High Mobility Channel Transistors for Future High Speed and Low Power Applications
بواسطة: GONG XIAO
منشور في: (2013)

Modeling study of the impact of surface roughness on silicon and germanium UTB MOSFETs
بواسطة: Low, T., وآخرون
منشور في: (2014)

High-mobility Germanium-Tin Field-Effect Transistors: Surface Passivation, Contact, and Doping Technologies
بواسطة: WANG LANXIANG
منشور في: (2014)

High-K MOSFETS with high mobility channels
بواسطة: HUANG JIDONG
منشور في: (2010)

Application of semiconducting low temperature grown GaAs to improve laser diodes grown on Si substrates
بواسطة: Phua, C.C., وآخرون
منشور في: (2014)

Advanced Transistors for Supply Voltage Reduction: Tunneling Field-Effect Transistors and High-Mobility MOSFETS
بواسطة: GUO PENGFEI
منشور في: (2013)

Improved reliability of AlGaN/GaN-on-Si high electron mobility transistors (HEMTs) with high density silicon nitride passivation
بواسطة: Sasangka, W. A., وآخرون
منشور في: (2017)

Sub-400 °C Si2H6 passivation, HfO2 gate dielectric, and single TaN metal gate: A common gate stack technology for In0.7Ga0.3As and Ge1-xSnx CMOS
بواسطة: Gong, X., وآخرون
منشور في: (2014)

Schottky-barrier S/D MOSFETs with high-K gate dielectrics and metal-gate electrode
بواسطة: Zhu, S., وآخرون
منشور في: (2014)

INGAAS QUANTUM-WELL MOSFETS ON SILICON SUBSTRATES FOR NEXT-GENERATION LOGIC & MIXED-SIGNAL APPLICATIONS
بواسطة: SACHIN
منشور في: (2017)

Investigation of dislocations and traps in MBE grown p-InGaAs/GaAs heterostructures
بواسطة: Du, A.Y., وآخرون
منشور في: (2014)

WAFER BONDING FOR MOCVD ALGaAS LEDS WITH TRANSPARENT SUBSTRATE GaP
بواسطة: ZHAO XIN YUE
منشور في: (2019)

Novel modelling methods for microwave GaAs MESFET device
بواسطة: ZHONG ZHENG
منشور في: (2011)

In situ silane passivation of gallium arsenide and deposition of high-permittivity gate dielectric for MOS applications
بواسطة: Zhu, M., وآخرون
منشور في: (2014)

High mobility III-V compound semiconductors for advanced transistor applications
بواسطة: CHIN HOCK CHUN
منشور في: (2011)

Characteristics of self-aligned gate-first Ge p- and n-channel MOSFETs using CVD HfO2 gate dielectric and Si surface passivation
بواسطة: Wu, N., وآخرون
منشور في: (2014)

III-V multiple-gate field-effect transistors with high-mobility In 0.7Ga0.3As channel and epi-controlled retrograde-doped Fin
بواسطة: Chin, H.-C., وآخرون
منشور في: (2014)

Germanium-tin (GeSn) p-channel MOSFETs fabricated on (100) and (111) surface orientations with Sub-400 °cSi2H6 passivation
بواسطة: Gong, X., وآخرون
منشور في: (2014)

Germanium pMOSFETs With Schottky-barrier Germanide S/D, high-Κ gate dielectric and metal gate
بواسطة: Zhu, S., وآخرون
منشور في: (2014)

Pt-germanide schottky source/drain germanium p-MOSFET with HfO2 gate dielectric and TaN gate electrode
بواسطة: Li, R., وآخرون
منشور في: (2014)

Improvements on surface carrier mobility and electrical stability of MOSFETs using HfTaO gate dielectric
بواسطة: Yu, X., وآخرون
منشور في: (2014)

Drive-current enhancement in Ge n-Channel MOSFET using laser annealing for source/drain activation
بواسطة: Zhang, Q., وآخرون
منشور في: (2014)

Ion-induced nitridation of GaAs(1 0 0) surface
بواسطة: Li, Y.G., وآخرون
منشور في: (2014)

Effects of gate field plates on the surface state related current collapse in AlGaN/GaN HEMTs
بواسطة: Huang, H., وآخرون
منشور في: (2014)

Surface Passivation for Heterojunction Silicon Wafer Solar Cells
بواسطة: GE JIA
منشور في: (2014)