Structural and morphological qualities of InGaN grown via elevated pressures in MOCVD on AlN/Si(111) substrates

Structural and morphological qualities of InGaN grown via elevated pressures in MOCVD on AlN/Si(111) substrates

10.1016/j.jcrysgro.2013.08.016

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Ho, J.W., Zhang, L., Wee, Q., Tay, A.A.O., Heuken, M., Chua, S.-J.
مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق: مقال
منشور في: 2014
الموضوعات:
A1. AlN
A1. InGaN
A1. Suppression of phase separation
A3. Metal organic chemical vapour deposition
B2. Semiconducting III-V materials
الوصول للمادة أونلاين:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83094
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة

مواد مشابهة