Lithography exposure characteristics of poly(methyl methacrylate) (PMMA) for carbon, helium and hydrogen ions
Poly(methyl methacrylate) is a common polymer used as a lithographic resist for all forms of particle (photon, ion and electron) beam writing. Faithful lithographic reproduction requires that the exposure dose, Θ, lies in the windowΘ0≤Θ<Θ×0, whereΘ0and Θ×0represent the clearing and cross-linking...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Nitipon Puttaraksa, Rattanaporn Norarat, Mikko Laitinen, Timo Sajavaara, Somsorn Singkarat, Harry J. Whitlow |
---|---|
التنسيق: | دورية |
منشور في: |
2018
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84655168022&origin=inward http://cmuir.cmu.ac.th/jspui/handle/6653943832/51997 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Lithography exposure characteristics of poly(methyl methacrylate) (PMMA) for carbon, helium and hydrogen ions
بواسطة: Puttaraksa N., وآخرون
منشور في: (2014) -
Direct writing of channels for microfluidics in silica by MeV ion beam lithography
بواسطة: Nitipon Puttaraksa, وآخرون
منشور في: (2018) -
Programmable proximity aperture lithography with MeV ion beams
بواسطة: Nitipon Puttaraksa, وآخرون
منشور في: (2018) -
Resolution performance of programmable proximity aperture MeV ion beam lithography system
بواسطة: Sergey Gorelick, وآخرون
منشور في: (2018) -
Fabrication of a negative PMMA master mold for soft-lithography by MeV ion beam lithography
بواسطة: Puttaraksa N., وآخرون
منشور في: (2014)