Black GaAs : gold-assisted chemical etching for light trapping and photon recycling
Thanks to its excellent semiconductor properties, like high charge carrier mobility and absorption coefficient in the near infrared spectral region, GaAs is the material of choice for thin film photovoltaic devices. Because of its high reflectivity, surface microstructuring is a viable approach to f...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Lova, Paola, Soci, Cesare |
---|---|
مؤلفون آخرون: | School of Physical and Mathematical Sciences |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
2020
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/145317 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Mechanism and Catalyst Stability of Metal-Assisted Chemical Etching of Silicon
بواسطة: PRAYUDI LIANTO
منشور في: (2013) -
Anti-reflective porous Ge by open-circuit and lithography-free metal-assisted chemical etching
بواسطة: Zhang, Yi-Yu, وآخرون
منشور في: (2022) -
METAL ASSISTED CHEMICAL ETCHING OF SEMICONDUCTORS FOR ELECTRONICS APPLICATION
بواسطة: KONG LINGYU
منشور في: (2017) -
Controlled Stepwise Wet Etching of Polycrystalline Mo Nanowires
بواسطة: Khakimjon Saidov, وآخرون
منشور في: (2024) -
A comparison of the selective etching characteristics of conventional and low-temperature-grown GaAs over AlAs by various etching solutions
بواسطة: Zhao, R., وآخرون
منشور في: (2014)