Optimization of metal barrier layers for enhanced SOI-based Ge PIN photodetector performance
This thesis investigates the optimization of titanium disilicide (TiSi₂) as a metal barrier layer for germanium PIN photodetectors on silicon-on-insulator (SOI) substrates to enhance their performance in high-speed optical communication systems. The study highlights the limitations of tantalum ni...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Xu, Hanyuan |
---|---|
مؤلفون آخرون: | Tang Xiaohong |
التنسيق: | Thesis-Master by Coursework |
اللغة: | English |
منشور في: |
Nanyang Technological University
2025
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/183095 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Nanyang Technological University |
اللغة: | English |
مواد مشابهة
-
Novel silicon-carbon (Si:C) Schottky barrier enhancement layer for dark-current suppression in Ge-on-SOI MSM photodetectors
بواسطة: Ang, K.-W., وآخرون
منشور في: (2014) -
Low thermal budget monolithic integration of evanescent-coupled Ge-on-SOI photodetector on Si CMOS platform
بواسطة: Ang, K.-W., وآخرون
منشور في: (2014) -
The Study of Ultra-thin Diffusion Barrier in Copper Interconnect System
بواسطة: HO CHEE SHENG
منشور في: (2010) -
Characterization of titanium silicide by Raman spectroscopy for submicron IC processing
بواسطة: Lim, E.H., وآخرون
منشور في: (2014) -
Ge-photodetectors for Si-based optoelectronic integration
بواسطة: Wang, J., وآخرون
منشور في: (2014)