Mathematical model of low-temperature wafer bonding under medium vacuum and its application
Low-temperature direct wafer bonding was successfully performed under medium vacuum level. A mathematical model was developed based on the qualitative understanding of the bonding mechanisms. The model combined the diffusion-reaction model of water in SiO2 and the diffusion theory in porous media. I...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Yu, Weibo, Wei, Jun, Tan, Cher Ming, Huang, Guang Yu |
---|---|
مؤلفون آخرون: | School of Electrical and Electronic Engineering |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
2009
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/90757 http://hdl.handle.net/10220/5336 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Nanyang Technological University |
اللغة: | English |
مواد مشابهة
-
Comparison of medium-vacuum and plasma-activated low-temperature wafer bonding
بواسطة: Tan, Cher Ming, وآخرون
منشور في: (2013) -
Fabrication and characterization of silicon-on-insulator using low temperature wafer bonding
بواسطة: Yu, Weibo
منشور في: (2008) -
Study of low temperature plasma activated wafer bonding
بواسطة: Yeo, Thomas Peng Siong.
منشور في: (2013) -
Investigation of low temperature wafer bonding using intermediate layer
بواسطة: Deng, Shusheng
منشور في: (2008) -
Low temperature three dimensional wafer level copper thermo-compression bonding
بواسطة: Lim, Dau Fatt.
منشور في: (2013)