Roughening behavior in Si/SiGe heterostructures under O2 + bombardment
10.1016/S0168-583X(03)01711-7
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Lau, G.S., Tok, E.S., Liu, R., Wee, A.T.S., Zhang, J. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | INSTITUTE OF ENGINEERING SCIENCE |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/113101 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | National University of Singapore |
مواد مشابهة
-
Nanostructure formation by O2 + ion sputtering of Si/SiGe heterostructures
بواسطة: Lau, G.S., وآخرون
منشور في: (2014) -
Sharp n-type doping profiles in Si/SiGe heterostructures produced by atomic hydrogen etching
بواسطة: Zhang, J., وآخرون
منشور في: (2014) -
Growth mechanisms in thin film epitaxy of Si/SiGe from hydrides
بواسطة: Zhang, J., وآخرون
منشور في: (2014) -
N2O oxidation of strained-Si/relaxed-SiGe heterostructure grown by UHVCVD
بواسطة: Tan, C.S., وآخرون
منشور في: (2014) -
RHEED and SIMS studies of germanium segregation during growth of SiGe/Si heterostructures; A two-site exchange model with growth rate dependence
بواسطة: Tok, E.S., وآخرون
منشور في: (2014)