Top-down engineered silicon and germanium nanowire MOSFET
Ph.D
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | PENG JIANWEI |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING |
التنسيق: | Theses and Dissertations |
اللغة: | English |
منشور في: |
2011
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/25831 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Strained silicon nanowire transistors with germanium source and drain stressors
بواسطة: Liow, T.-Y., وآخرون
منشور في: (2014) -
Germanium nanowire metal-oxide-semiconductor field-effect transistor fabricated by complementary-metal-oxide-semiconductor-compatible process
بواسطة: Peng, J.W., وآخرون
منشور في: (2014) -
Addressing performance bottlenecks for top-down engineered nanowire transistors
بواسطة: JIANG YU
منشور في: (2010) -
ADVANCED SOURCE AND DRAIN CONTACT ENGINEERING FOR GERMANIUM-TIN AND SILICON-GERMANIUM TRANSISTORS
بواسطة: XU HAIWEN
منشور في: (2023) -
Modeling study of the impact of surface roughness on silicon and germanium UTB MOSFETs
بواسطة: Low, T., وآخرون
منشور في: (2014)